Improving the Resistive Switching Reliability via controlling the resistance states of RRAM
文献类型：会议论文
| 作者 | Liu M(刘明) ; Liu Q(刘琦); Lv HB(吕杭炳); Xu DL(许定林); Xu XX(许晓欣); Wang Y(王艳); Wang GM(王国明); Zhang MY(张美芸); Long SB(龙世兵); Li Y(李阳)
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| 出版日期 | 2015-06-29 |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/15262]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu M,Liu Q,Lv HB,et al. Improving the Resistive Switching Reliability via controlling the resistance states of RRAM[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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