一种改善用于Al2O3介质层上的光刻工艺的方法
文献类型：专利
| 作者 | 刘宇 ; 张凯平; 刘明; 谢常青; 龙世兵; 陆丛研; 胡媛; 赵盛杰
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| 发表日期 | 2015-04-15 |
| 专利号 | CN201310681200.3 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种改善Al2O3介质上的光刻工艺的方法，Al2O3介质层易被含有四甲基氢氧化铵的碱性显影液所腐蚀，从而影响器件的性能，该方法包括：在含有四甲基氢氧化铵的碱性显影液中，加入体积百分比为0.6％至1.4％的硅的浓缩液和体积百分比为0.1％至0.3％的过硫化铵(NH4)2S2O8溶液对显影液进行改进；利用上述改进后的显影液对在Al2O3介质上的曝光后的光刻胶进行显影。利用本发明，光刻过程中Al2O3介质层随着显影时间的变化厚度不变、表面保持光滑，并且该方法稳定性好、重复率高。 |
| 公开日期 | 2014-03-19 |
| 申请日期 | 2013-12-12 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/15494]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘宇,张凯平,刘明,等. 一种改善用于Al2O3介质层上的光刻工艺的方法. CN201310681200.3. 2015-04-15. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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