三维半导体存储器件及其制备方法
文献类型:专利
作者 | 刘明; 霍宗亮 |
发表日期 | 2015-04-07 |
专利号 | US9000409 |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 美国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | The present application discloses a 3D semiconductor memory device having 1T1R memory configuration based on a vertical-type gate-around transistor, and a manufacturing method thereof. A on/off current ratio can be well controlled by changing a width and a length of a channel of the gate-around transistor, so as to facilitate multi-state operation of the 1T1R memory cell. Moreover, the vertical transistor has a smaller layout size than a horizontal transistor, so as to reduce the layout size effectively. Thus, the 3D semiconductor memory device can be integrated into an array with a high density. |
公开日期 | 2012-06-28 |
申请日期 | 2011-06-30 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16058] |
专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘明,霍宗亮. 三维半导体存储器件及其制备方法. US9000409. 2015-04-07. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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