A Surface Potential-Based Gate-Leakage Current Model for Organic Thin-Film Transistors
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wang H(王宏) ; Wang LF(汪令飞); Xu GW(徐光伟); Wang W(王伟); Wang L(王龙); Zong ZW(宗旨威); Lu CY(陆丛研); Writam Banerjee; Ji ZY(姬濯宇)
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| 刊名 | IEEE TED
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| 出版日期 | 2016 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16230]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang H,Wang LF,Xu GW,et al. A Surface Potential-Based Gate-Leakage Current Model for Organic Thin-Film Transistors[J]. IEEE TED,2016. |
| APA | Wang H.,Wang LF.,Xu GW.,Wang W.,Wang L.,...&Ji ZY.(2016).A Surface Potential-Based Gate-Leakage Current Model for Organic Thin-Film Transistors.IEEE TED. |
| MLA | Wang H,et al."A Surface Potential-Based Gate-Leakage Current Model for Organic Thin-Film Transistors".IEEE TED (2016). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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