Surface potential measurement on contact resistance of amorphous-InGaZnO thin film transistors by Kelvin probe force microscopy
文献类型：期刊论文
| 作者 | Han ZH(韩志恒); Xu GW(徐光伟); Wang W(王伟); Lu CY(陆丛研) ; Lu ND(卢年端); Ji ZY(姬濯宇); Liu M(刘明)
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| 刊名 | Applied Physics Letters
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| 出版日期 | 2016-07-12 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16249]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Han ZH,Xu GW,Wang W,et al. Surface potential measurement on contact resistance of amorphous-InGaZnO thin film transistors by Kelvin probe force microscopy[J]. Applied Physics Letters,2016. |
| APA | Han ZH.,Xu GW.,Wang W.,Lu CY.,Lu ND.,...&Liu M.(2016).Surface potential measurement on contact resistance of amorphous-InGaZnO thin film transistors by Kelvin probe force microscopy.Applied Physics Letters. |
| MLA | Han ZH,et al."Surface potential measurement on contact resistance of amorphous-InGaZnO thin film transistors by Kelvin probe force microscopy".Applied Physics Letters (2016). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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