The Statistics of Set Time of Oxide-based Resistive Switching Memory
文献类型：会议论文
| 作者 | Zhang MY(张美芸); Wang GM(王国明); Yu ZA(余兆安) ; Li Y(李阳); Xu DL(许定林); Lv HB(吕杭炳); Liu Q(刘琦); Liu M(刘明)
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| 出版日期 | 2016-09-12 |
| 文献子类 | 会议论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16343]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang MY,Wang GM,Yu ZA,et al. The Statistics of Set Time of Oxide-based Resistive Switching Memory[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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