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一种测量阻变存储器激活能的方法

文献类型:专利

作者卢年端; 李泠; 刘明; 孙鹏霄; 王明; 刘琦
发表日期2016-09-28
专利号CN201410144275.2
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明公开了一种测量阻变存储器激活能的方法,包括:测量阻变存储器的I-V曲线,并从该I-V曲线来确定阻变存储器的低阻态电流值及高阻态电流值;计算在低阻态及高阻态下阻变存储器导电细丝中的电流;计算阻变存储器高阻态下导电细丝的外加电场;计算高低阻态下载流子跃迁的激活能。利用本发明,通过简单的方法可以测量出阻变存储器的激活能,大大减少了测量误差,并能够区分出电子运动、离子扩散等载流子运动时各自的激活能,为研究阻变存储器的微观物理机制提供理论指导。

公开日期2014-07-16
申请日期2014-04-11
语种中文
源URL[http://159.226.55.106/handle/172511/16567]  
专题微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
卢年端,李泠,刘明,等. 一种测量阻变存储器激活能的方法. CN201410144275.2. 2016-09-28.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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