本发明公开一种半导体存储器件，包括：存储单元；每个所述存储单元包括字线、位线、阻变存储器件、选通器件和存储电容；所述阻变存储器件的一端与所述位线相连，另一端与所述选通器件的源极/漏极相连；所述选通器件的栅极与一条所述字线相连，所述选通器件的漏极/源极与另一条所述字线相连；所述存储电容的一端与所述选通器件的漏极/源极相连，另一端接地。本发明所公开的半导体存储器件，同时具有动态存储器的功耗低，速度快的优点，又能够实现非挥发性的存储。