分裂栅存储器及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 刘明 ; 姜丹丹; 霍宗亮; 张满红; 王琴; 刘璟; 谢常青
|
| 发表日期 | 2016-03-30 |
| 专利号 | CN201110147095.6 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 一种分裂栅存储器，隧穿介质层采用低k介质材料。通过采用低介电常数材料作为分裂栅存储器中的隧穿介质层，由于具有低的介电常数，从而在不增加其隧穿介质层厚度的情况下，有效的降低了控制栅介质层与电荷存储层之间的耦合电容，使得其擦除操作电压有效降低，擦除操作速度得到有效提高。 |
| 公开日期 | 2012-12-05 |
| 申请日期 | 2011-06-01 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16584]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘明,姜丹丹,霍宗亮,等. 分裂栅存储器及其制造方法. CN201110147095.6. 2016-03-30. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。