一种降低阻变存储器电铸电压的方法
文献类型:专利
作者 | 吕杭炳![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
发表日期 | 2017-01-04 |
专利号 | CN201410222652.X |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明公开了一种降低阻变存储器电铸电压的方法,该方法是在对阻变存储器进行电铸操作之前,通过阻变存储器的上电极向阻变存储器的阻变功能层施加恒定的小电流,在阻变存储器的阻变功能层中形成部分导电细丝,使阻变存储器处于中间态。之后对阻变存储器的电铸过程,可以发现电铸电压明显降低。本发明操作方法简单,降低成本低,有利于本发明的广泛推广与应用。 |
公开日期 | 2014-07-30 |
申请日期 | 2014-05-23 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/17927] ![]() |
专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 吕杭炳,刘琦,刘明,等. 一种降低阻变存储器电铸电压的方法. CN201410222652.X. 2017-01-04. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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