Improvement of Device Reliability by Introducing a BEOL-Compatible TiN Barrier Layer in CBRAM
文献类型：期刊论文
| 作者 | Cao RR(曹荣荣); Liu M(刘明) ; Long SB(龙世兵); Lv HB(吕杭炳); Wang Y(王艳); Wu QT(吴全潭); Wu FC(伍法才); Zhang XM(张续猛); Wang W(王伟); Zhao XL(赵晓龙)
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| 刊名 | IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
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| 出版日期 | 2017-09-25 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18164]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Cao RR,Liu M,Long SB,et al. Improvement of Device Reliability by Introducing a BEOL-Compatible TiN Barrier Layer in CBRAM[J]. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,2017. |
| APA | Cao RR.,Liu M.,Long SB.,Lv HB.,Wang Y.,...&Liu S.(2017).Improvement of Device Reliability by Introducing a BEOL-Compatible TiN Barrier Layer in CBRAM.IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. |
| MLA | Cao RR,et al."Improvement of Device Reliability by Introducing a BEOL-Compatible TiN Barrier Layer in CBRAM".IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS (2017). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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