基于六角氮化硼二维薄膜的忆阻器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴全潭; 时拓 ; 赵晓龙; 张续猛; 伍法才; 曹荣荣; 龙世兵; 吕杭炳; 刘琦; 刘明
|
| 刊名 | ACTA PHYSICA SINICA
 |
| 出版日期 | 2017-09-13 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 英文摘要 | 报道了一种基于多层六角氮化硼(h-BN)二维薄膜的忆阻器件. 该器件不需要电预处理过程, 且具有自限流的双极性阻变行为; 具有较好的抗疲劳性和较长的数据保持时间. 该器件在脉冲编程条件下具有模拟转变 特性, 即在连续的电压脉冲下器件的电阻态能被连续地调控, 使得该器件能够模仿神经网络系统中的神经突 触权重变化行为. 综上所述, 基于多层h-BN的忆阻器具有应用在非易失性存储和神经计算中的潜力. |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18168]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴全潭,时拓,赵晓龙,等. 基于六角氮化硼二维薄膜的忆阻器[J]. ACTA PHYSICA SINICA,2017. |
| APA | 吴全潭.,时拓.,赵晓龙.,张续猛.,伍法才.,...&刘明.(2017).基于六角氮化硼二维薄膜的忆阻器.ACTA PHYSICA SINICA. |
| MLA | 吴全潭,et al."基于六角氮化硼二维薄膜的忆阻器".ACTA PHYSICA SINICA (2017). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。