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Anisotropic Magnetoresistance of Nanoconductive Filament in Co/HfO2/Pt Resistive Switching Memory

文献类型:期刊论文

作者Liu Q(刘琦); Liu M(刘明); Lv HB(吕杭炳); Zhang MY(张美芸); Long SB(龙世兵)
刊名Nanoscale Research Letters
出版日期2017-03-22
文献子类期刊论文
源URL[http://159.226.55.106/handle/172511/18171]  
专题微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
Liu Q,Liu M,Lv HB,et al. Anisotropic Magnetoresistance of Nanoconductive Filament in Co/HfO2/Pt Resistive Switching Memory[J]. Nanoscale Research Letters,2017.
APA Liu Q,Liu M,Lv HB,Zhang MY,&Long SB.(2017).Anisotropic Magnetoresistance of Nanoconductive Filament in Co/HfO2/Pt Resistive Switching Memory.Nanoscale Research Letters.
MLA Liu Q,et al."Anisotropic Magnetoresistance of Nanoconductive Filament in Co/HfO2/Pt Resistive Switching Memory".Nanoscale Research Letters (2017).

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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