Total ionizing dose effects and annealing behaviors of HfO2-based MOS capacitor
文献类型：期刊论文
| 作者 | Xu YN(徐彦楠); Xu GB(许高博) ; Xi K(习凯); Li B(李博); Liu M(刘明)
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| 刊名 | SCIENCE CHINA
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| 出版日期 | 2017-02-07 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18179]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Xu YN,Xu GB,Xi K,et al. Total ionizing dose effects and annealing behaviors of HfO2-based MOS capacitor[J]. SCIENCE CHINA,2017. |
| APA | Xu YN,Xu GB,Xi K,Li B,&Liu M.(2017).Total ionizing dose effects and annealing behaviors of HfO2-based MOS capacitor.SCIENCE CHINA. |
| MLA | Xu YN,et al."Total ionizing dose effects and annealing behaviors of HfO2-based MOS capacitor".SCIENCE CHINA (2017). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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