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Complementary Switching in 3D Resistive Memory Array

文献类型:期刊论文

作者Writam Banerjee; Xu XX(许晓欣); Lv HB(吕杭炳); Liu Q(刘琦); Long SB(龙世兵); Liu M(刘明)
刊名Advanced Electronic Materials
出版日期2017-10-10
文献子类期刊论文
源URL[http://159.226.55.106/handle/172511/18185]  
专题微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
Writam Banerjee,Xu XX,Lv HB,et al. Complementary Switching in 3D Resistive Memory Array[J]. Advanced Electronic Materials,2017.
APA Writam Banerjee,Xu XX,Lv HB,Liu Q,Long SB,&Liu M.(2017).Complementary Switching in 3D Resistive Memory Array.Advanced Electronic Materials.
MLA Writam Banerjee,et al."Complementary Switching in 3D Resistive Memory Array".Advanced Electronic Materials (2017).

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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