Complementary Switching in 3D Resistive Memory Array
文献类型:期刊论文
| 作者 | Writam Banerjee; Xu XX(许晓欣) ; Lv HB(吕杭炳) ; Liu Q(刘琦) ; Long SB(龙世兵) ; Liu M(刘明)
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| 刊名 | Advanced Electronic Materials
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| 出版日期 | 2017-10-10 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18185] ![]() |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Writam Banerjee,Xu XX,Lv HB,et al. Complementary Switching in 3D Resistive Memory Array[J]. Advanced Electronic Materials,2017. |
| APA | Writam Banerjee,Xu XX,Lv HB,Liu Q,Long SB,&Liu M.(2017).Complementary Switching in 3D Resistive Memory Array.Advanced Electronic Materials. |
| MLA | Writam Banerjee,et al."Complementary Switching in 3D Resistive Memory Array".Advanced Electronic Materials (2017). |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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