Radiation Effects on 1 Mb HfO2-based Resistive Memory
文献类型：期刊论文
| 作者 | Bi JS(毕津顺) ; Zhang F(张锋); Duan Y(段远); Xi K(习凯); Li B(李博); Liu M(刘明)
|
| 刊名 | RADECS 2017
 |
| 出版日期 | 2017-10-06 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18188]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Bi JS,Zhang F,Duan Y,et al. Radiation Effects on 1 Mb HfO2-based Resistive Memory[J]. RADECS 2017,2017. |
| APA | Bi JS,Zhang F,Duan Y,Xi K,Li B,&Liu M.(2017).Radiation Effects on 1 Mb HfO2-based Resistive Memory.RADECS 2017. |
| MLA | Bi JS,et al."Radiation Effects on 1 Mb HfO2-based Resistive Memory".RADECS 2017 (2017). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。