Total Ionization Dose Effects on Charge Trapping Memory(CTM)with Al2O3/HfO2/Al2O3 Trilayer Structure
文献类型：期刊论文
| 作者 | Bi JS(毕津顺) ; Xu YN(徐彦楠); Xi K(习凯); Liu M(刘明)
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| 刊名 | NSREC 2017
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| 出版日期 | 2017-07-20 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18189]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Bi JS,Xu YN,Xi K,et al. Total Ionization Dose Effects on Charge Trapping Memory(CTM)with Al2O3/HfO2/Al2O3 Trilayer Structure[J]. NSREC 2017,2017. |
| APA | Bi JS,Xu YN,Xi K,&Liu M.(2017).Total Ionization Dose Effects on Charge Trapping Memory(CTM)with Al2O3/HfO2/Al2O3 Trilayer Structure.NSREC 2017. |
| MLA | Bi JS,et al."Total Ionization Dose Effects on Charge Trapping Memory(CTM)with Al2O3/HfO2/Al2O3 Trilayer Structure".NSREC 2017 (2017). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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