Simulation of doping effect for HfO2-based RRAM based on first-principles calculations
文献类型：会议论文
| 作者 | Wei W(魏巍); Chuai XC(揣喜臣); Lu ND(卢年端) ; Wang Y(王艳); Li L(李泠); Liu M(刘明)
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| 出版日期 | 2017-10-23 |
| 文献子类 | 会议论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18283]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wei W,Chuai XC,Lu ND,et al. Simulation of doping effect for HfO2-based RRAM based on first-principles calculations[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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