BEOL Based RRAM with One Extra-mask for Low Cost, Highly Reliable Embedded Application in 28 nm Node and Beyond
文献类型：会议论文
| 作者 | Lv HB(吕杭炳) ; Xu XX(许晓欣); Yuan P(袁鹏); Dong DN(董大年); Gong TC(龚天成); Liu J(刘璟); Yu ZA(余兆安); Zhang K(张坤); Huo ZX(霍长兴); Chen CB(陈传兵)
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| 出版日期 | 2017-12-08 |
| 文献子类 | 会议论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18289]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Lv HB,Xu XX,Yuan P,et al. BEOL Based RRAM with One Extra-mask for Low Cost, Highly Reliable Embedded Application in 28 nm Node and Beyond[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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