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Endurance characterization of the Cu-dope HfO2 based selection device with One Transistor-One Selector structure

文献类型:会议论文

作者Luo Q(罗庆); Xu XX(许晓欣); Lv HB(吕杭炳); Gong TC(龚天成); Long SB(龙世兵); Liu Q(刘琦); Li L(李泠); Liu M(刘明)
出版日期2017-06-15
文献子类会议论文
源URL[http://159.226.55.106/handle/172511/18291]  
专题微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
Luo Q,Xu XX,Lv HB,et al. Endurance characterization of the Cu-dope HfO2 based selection device with One Transistor-One Selector structure[C]. 见:.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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