本发明公开了一种Cu基阻变存储器的制备方法及存储器，该制备方法包括：通过大马士革铜互连工艺在沟槽中形成铜引线，所述铜引线包含用于生长存储介质的铜下电极，所述铜引线设置于第一盖帽层上方；在所述铜引线上方形成第二盖帽层；在所述第二盖帽层上与所述铜下电极相对应的位置制作孔洞，所述孔洞用于暴露所述铜下电极；对所述铜下电极构图化合处理生成化合物阻挡层，所述化合物阻挡层为元素Cu、Si及N化合形成的化合物或者为元素Cu、Ge及N化合形成的化合物；在所述化合物阻挡层上沉积固态电解液材料和上电极。通过上述技术方案，解决了现有技术中Cu基阻变存储器中Cu离子的注入效率较高的技术问题，提高了存储器的疲劳特性。