An Artificial Neuron Based on a Threshold Switching Memristor
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhang XM(张续猛); Wang W(王伟); Liu Q(刘琦) ; Zhao XL(赵晓龙); Wei JS(魏劲松); Cao RR(曹荣荣); Yao ZH(姚志宏); Zhu XL(朱效立); Zhang F(张锋); Lv HB(吕杭炳)
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| 刊名 | IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
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| 出版日期 | 2018-02-01 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18929]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang XM,Wang W,Liu Q,et al. An Artificial Neuron Based on a Threshold Switching Memristor[J]. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,2018. |
| APA | Zhang XM.,Wang W.,Liu Q.,Zhao XL.,Wei JS.,...&Lv HB.(2018).An Artificial Neuron Based on a Threshold Switching Memristor.IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. |
| MLA | Zhang XM,et al."An Artificial Neuron Based on a Threshold Switching Memristor".IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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