Effects of Capping Electrode on Ferroelectric Properties of Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films
文献类型：期刊论文
| 作者 | Cao RR(曹荣荣); Wang Y(王艳) ; Zhao SJ(赵盛杰); Yang Y(杨阳); Zhao XL(赵晓龙); Wang W(王伟); Zhang XM(张续猛); Lv HB(吕杭炳); Liu Q(刘琦); Liu M(刘明)
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| 刊名 | IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
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| 出版日期 | 2018-06-12 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18930]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Cao RR,Wang Y,Zhao SJ,et al. Effects of Capping Electrode on Ferroelectric Properties of Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films[J]. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,2018. |
| APA | Cao RR.,Wang Y.,Zhao SJ.,Yang Y.,Zhao XL.,...&Liu M.(2018).Effects of Capping Electrode on Ferroelectric Properties of Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films.IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. |
| MLA | Cao RR,et al."Effects of Capping Electrode on Ferroelectric Properties of Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films".IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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