Proton Radiation Effects on Y-Doped HfO2-Based Ferroelectric Memory
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wang Y(王艳) ; Hu Y(胡媛); Cao RR(曹荣荣); Shi T(时拓); Liu Q(刘琦); Liu M(刘明)
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| 刊名 | IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
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| 出版日期 | 2018-04-30 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18931]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang Y,Hu Y,Cao RR,et al. Proton Radiation Effects on Y-Doped HfO2-Based Ferroelectric Memory[J]. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,2018. |
| APA | Wang Y,Hu Y,Cao RR,Shi T,Liu Q,&Liu M.(2018).Proton Radiation Effects on Y-Doped HfO2-Based Ferroelectric Memory.IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. |
| MLA | Wang Y,et al."Proton Radiation Effects on Y-Doped HfO2-Based Ferroelectric Memory".IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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