Negative differential resistance effect induced by metal ion implantation in SiO2 film for multilevel RRAM application
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wu FC(伍法才); shuyao Si; Shi T(时拓) ; Zhao XL(赵晓龙); Liu Q(刘琦); Lei Liao; Lv HB(吕杭炳); Long SB(龙世兵); Liu M(刘明)
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| 刊名 | Nanotechnology
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| 出版日期 | 2018-01-05 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18933]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wu FC,shuyao Si,Shi T,et al. Negative differential resistance effect induced by metal ion implantation in SiO2 film for multilevel RRAM application[J]. Nanotechnology,2018. |
| APA | Wu FC.,shuyao Si.,Shi T.,Zhao XL.,Liu Q.,...&Liu M.(2018).Negative differential resistance effect induced by metal ion implantation in SiO2 film for multilevel RRAM application.Nanotechnology. |
| MLA | Wu FC,et al."Negative differential resistance effect induced by metal ion implantation in SiO2 film for multilevel RRAM application".Nanotechnology (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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