Charge Transfer within the F4TCNQ-MoS2 van der Waals Interface: Toward Electrical Properties Tuning and Gas Sensing Application
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wang JW(王嘉伟); Ji ZY(姬濯宇) ; Yang GH(杨冠华); Chuai XC(揣喜臣); Lu CY(陆丛研); Shi XW(史学文); Niu JB(牛洁斌); Lu ND(卢年端); Liu M(刘明)
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| 刊名 | Advanced Functional Materials
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| 出版日期 | 2018-11-13 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18939]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang JW,Ji ZY,Yang GH,et al. Charge Transfer within the F4TCNQ-MoS2 van der Waals Interface: Toward Electrical Properties Tuning and Gas Sensing Application[J]. Advanced Functional Materials,2018. |
| APA | Wang JW.,Ji ZY.,Yang GH.,Chuai XC.,Lu CY.,...&Liu M.(2018).Charge Transfer within the F4TCNQ-MoS2 van der Waals Interface: Toward Electrical Properties Tuning and Gas Sensing Application.Advanced Functional Materials. |
| MLA | Wang JW,et al."Charge Transfer within the F4TCNQ-MoS2 van der Waals Interface: Toward Electrical Properties Tuning and Gas Sensing Application".Advanced Functional Materials (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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