A New Velocity Saturation Model of MoS2 Field-Effect Transistors
文献类型：期刊论文
| 作者 | Cao JC(曹劲琛); Wu QT(吴全潭); Yang GH(杨冠华); Lu ND(卢年端) ; Ji ZY(姬濯宇); Geng D(耿玓); Li L(李泠); Liu M(刘明)
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| 刊名 | IEEE Electron Device Letters
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| 出版日期 | 2018-04-26 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18941]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Cao JC,Wu QT,Yang GH,et al. A New Velocity Saturation Model of MoS2 Field-Effect Transistors[J]. IEEE Electron Device Letters,2018. |
| APA | Cao JC.,Wu QT.,Yang GH.,Lu ND.,Ji ZY.,...&Liu M.(2018).A New Velocity Saturation Model of MoS2 Field-Effect Transistors.IEEE Electron Device Letters. |
| MLA | Cao JC,et al."A New Velocity Saturation Model of MoS2 Field-Effect Transistors".IEEE Electron Device Letters (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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