A new surface-potential-based compact model for the MoS2 field effect transistors in active matrix display applications
文献类型：期刊论文
| 作者 | Cao JC(曹劲琛); Peng SA(彭松昂) ; Wu QT(吴全潭); Li L(李泠); Geng D(耿玓); Yang GH(杨冠华); Lu ND(卢年端); Liu M(刘明)
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| 刊名 | Journal of Applied Physics
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| 出版日期 | 2018-02-13 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18942]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Cao JC,Peng SA,Wu QT,et al. A new surface-potential-based compact model for the MoS2 field effect transistors in active matrix display applications[J]. Journal of Applied Physics,2018. |
| APA | Cao JC.,Peng SA.,Wu QT.,Li L.,Geng D.,...&Liu M.(2018).A new surface-potential-based compact model for the MoS2 field effect transistors in active matrix display applications.Journal of Applied Physics. |
| MLA | Cao JC,et al."A new surface-potential-based compact model for the MoS2 field effect transistors in active matrix display applications".Journal of Applied Physics (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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