Full imitation of synaptic metaplasticity based on memristor devices
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wu QT(吴全潭); Luo Q(罗庆) ; Writam Banerjee; Cao JC(曹劲琛); Zhang XM(张续猛); Liu Q(刘琦); Li L(李泠); Liu M(刘明)
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| 刊名 | Nanoscale
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| 出版日期 | 2018-02-21 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18945]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wu QT,Luo Q,Writam Banerjee,et al. Full imitation of synaptic metaplasticity based on memristor devices[J]. Nanoscale,2018. |
| APA | Wu QT.,Luo Q.,Writam Banerjee.,Cao JC.,Zhang XM.,...&Liu M.(2018).Full imitation of synaptic metaplasticity based on memristor devices.Nanoscale. |
| MLA | Wu QT,et al."Full imitation of synaptic metaplasticity based on memristor devices".Nanoscale (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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