Photoelectric Plasticity in Oxide Thin Film Transistors with Tunable Synaptic Functions
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wu QT(吴全潭); Wang JW(王嘉玮) ; Cao JC(曹劲琛); Zhao Y(赵莹); Geng D(耿玓); Lu ND(卢年端); Liu M(刘明); Lu CY(陆丛研); Yang GH(杨冠华); Shi XW(史学文)
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| 刊名 | Advanced Electron Materials
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| 出版日期 | 2018-10-16 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18946]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wu QT,Wang JW,Cao JC,et al. Photoelectric Plasticity in Oxide Thin Film Transistors with Tunable Synaptic Functions[J]. Advanced Electron Materials,2018. |
| APA | Wu QT.,Wang JW.,Cao JC.,Zhao Y.,Geng D.,...&Su Y.(2018).Photoelectric Plasticity in Oxide Thin Film Transistors with Tunable Synaptic Functions.Advanced Electron Materials. |
| MLA | Wu QT,et al."Photoelectric Plasticity in Oxide Thin Film Transistors with Tunable Synaptic Functions".Advanced Electron Materials (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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