Total ionizing dose and single event effects of 1 Mb HfO2-based resistive random access memory
文献类型：期刊论文
| 作者 | Bi JS(毕津顺) ; Yuan Duan; Xi K(习凯); Li B(李博)
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| 刊名 | MICROELECTRONICS RELIABILITY
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| 出版日期 | 2018-07-02 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18953]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Bi JS,Yuan Duan,Xi K,et al. Total ionizing dose and single event effects of 1 Mb HfO2-based resistive random access memory[J]. MICROELECTRONICS RELIABILITY,2018. |
| APA | Bi JS,Yuan Duan,Xi K,&Li B.(2018).Total ionizing dose and single event effects of 1 Mb HfO2-based resistive random access memory.MICROELECTRONICS RELIABILITY. |
| MLA | Bi JS,et al."Total ionizing dose and single event effects of 1 Mb HfO2-based resistive random access memory".MICROELECTRONICS RELIABILITY (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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