Heavy ion induced upset errors in 90-nm 64 Mb NOR-type floating-gate Flash memory
文献类型：期刊论文
| 作者 | Bi JS(毕津顺) ; Xi K(习凯); Li B(李博); Wang HB(王海滨); Ji LL(季兰龙); Li J(李金); Liu M(刘明)
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| 刊名 | Chinese physics B
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| 出版日期 | 2018-11-12 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18955]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Bi JS,Xi K,Li B,et al. Heavy ion induced upset errors in 90-nm 64 Mb NOR-type floating-gate Flash memory[J]. Chinese physics B,2018. |
| APA | Bi JS.,Xi K.,Li B.,Wang HB.,Ji LL.,...&Liu M.(2018).Heavy ion induced upset errors in 90-nm 64 Mb NOR-type floating-gate Flash memory.Chinese physics B. |
| MLA | Bi JS,et al."Heavy ion induced upset errors in 90-nm 64 Mb NOR-type floating-gate Flash memory".Chinese physics B (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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