Analysis of tail bits generation of multilevel storage in resistive switching memory
文献类型：期刊论文
| 作者 | Liu J(刘璟) ; Xu XX(许晓欣); Chen CB(陈传兵); Gong TC(龚天成); Yu ZA(余兆安); Luo Q(罗庆); Yuan P(袁鹏); Dong DN(董大年); Liu Q(刘琦); Long SB(龙世兵)
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| 刊名 | Chinese Physics B
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| 出版日期 | 2018-10-19 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18956]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu J,Xu XX,Chen CB,et al. Analysis of tail bits generation of multilevel storage in resistive switching memory[J]. Chinese Physics B,2018. |
| APA | Liu J.,Xu XX.,Chen CB.,Gong TC.,Yu ZA.,...&Liu M.(2018).Analysis of tail bits generation of multilevel storage in resistive switching memory.Chinese Physics B. |
| MLA | Liu J,et al."Analysis of tail bits generation of multilevel storage in resistive switching memory".Chinese Physics B (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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