Realization of near-perfect absorption in the whole reststrahlen band of SiC
文献类型：期刊论文
| 作者 | Hua YL(华一磊) ; Xie CQ(谢常青); Liu M(刘明)
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| 刊名 | Nanoscale
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| 出版日期 | 2018-04-28 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18957]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Hua YL,Xie CQ,Liu M. Realization of near-perfect absorption in the whole reststrahlen band of SiC[J]. Nanoscale,2018. |
| APA | Hua YL,Xie CQ,&Liu M.(2018).Realization of near-perfect absorption in the whole reststrahlen band of SiC.Nanoscale. |
| MLA | Hua YL,et al."Realization of near-perfect absorption in the whole reststrahlen band of SiC".Nanoscale (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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