Study of γ-ray irradiation influence on TiN/HfO 2 /Si MOS capacitor by C-V and DLTS
文献类型：期刊论文
| 作者 | Yun Li; Yao Ma; Wei Lin; Peng Dong; zhimei Yang; Min Gong; Jinshun Bi; Bo li; Kai Xi; Gaobo Xu |
| 刊名 | Superlattices and Microstructures
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| 出版日期 | 2018-05-26 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18963]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yun Li,Yao Ma,Wei Lin,et al. Study of γ-ray irradiation influence on TiN/HfO 2 /Si MOS capacitor by C-V and DLTS[J]. Superlattices and Microstructures,2018. |
| APA | Yun Li.,Yao Ma.,Wei Lin.,Peng Dong.,zhimei Yang.,...&Gaobo Xu.(2018).Study of γ-ray irradiation influence on TiN/HfO 2 /Si MOS capacitor by C-V and DLTS.Superlattices and Microstructures. |
| MLA | Yun Li,et al."Study of γ-ray irradiation influence on TiN/HfO 2 /Si MOS capacitor by C-V and DLTS".Superlattices and Microstructures (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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