Total Ionization Dose Effects on Charge Storage Capability of Al2O3/HfO2/Al2O3 (AHA)-based Charge Trapping Memory (CTM) Cell
文献类型：期刊论文
| 作者 | Xu YN(徐彦楠); Bi JS(毕津顺) ; Xu GB(许高博); Li B(李博); Xi K(习凯); Liu M(刘明); Wang HB(王海滨); Luo L(骆丽)
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| 刊名 | Chinese Physics Letters
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| 出版日期 | 2018-09-18 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18964]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Xu YN,Bi JS,Xu GB,et al. Total Ionization Dose Effects on Charge Storage Capability of Al2O3/HfO2/Al2O3 (AHA)-based Charge Trapping Memory (CTM) Cell[J]. Chinese Physics Letters,2018. |
| APA | Xu YN.,Bi JS.,Xu GB.,Li B.,Xi K.,...&Luo L.(2018).Total Ionization Dose Effects on Charge Storage Capability of Al2O3/HfO2/Al2O3 (AHA)-based Charge Trapping Memory (CTM) Cell.Chinese Physics Letters. |
| MLA | Xu YN,et al."Total Ionization Dose Effects on Charge Storage Capability of Al2O3/HfO2/Al2O3 (AHA)-based Charge Trapping Memory (CTM) Cell".Chinese Physics Letters (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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