Schottky Barrier Rectifier Based on (100) β-Ga2O3 and its DC and AC Characteristics
文献类型：期刊论文
| 作者 | He QM(何启鸣); Mu WX(穆文祥); Fu B(付博); Jia ZT(贾志泰); Long SB(龙世兵) |
| 刊名 | IEEE Electron Device Letters
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| 出版日期 | 2018-03-01 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18966]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | He QM,Mu WX,Fu B,et al. Schottky Barrier Rectifier Based on (100) β-Ga2O3 and its DC and AC Characteristics[J]. IEEE Electron Device Letters,2018. |
| APA | 何启鸣,穆文祥,付博,贾志泰,&龙世兵.(2018).Schottky Barrier Rectifier Based on (100) β-Ga2O3 and its DC and AC Characteristics.IEEE Electron Device Letters. |
| MLA | 何启鸣,et al."Schottky Barrier Rectifier Based on (100) β-Ga2O3 and its DC and AC Characteristics".IEEE Electron Device Letters (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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