A Compact Model for Drift and Diffusion Memristor Applied in Neuron in circuit design
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhao Y(赵莹); Fang C(方聪); Zhang XM(张续猛); Gong TC(龚天成); Xu XX(许晓欣) ; Luo Q(罗庆); Liu Q(刘琦); Li L(李泠); Zhang F(张锋); Liu M(刘明)
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| 刊名 | IEEE transactions on electron devices
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| 出版日期 | 2018-10-01 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18970]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhao Y,Fang C,Zhang XM,et al. A Compact Model for Drift and Diffusion Memristor Applied in Neuron in circuit design[J]. IEEE transactions on electron devices,2018. |
| APA | Zhao Y.,Fang C.,Zhang XM.,Gong TC.,Xu XX.,...&Liu M.(2018).A Compact Model for Drift and Diffusion Memristor Applied in Neuron in circuit design.IEEE transactions on electron devices. |
| MLA | Zhao Y,et al."A Compact Model for Drift and Diffusion Memristor Applied in Neuron in circuit design".IEEE transactions on electron devices (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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