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C-V and J-V investigation of HfO2/Al2O3 bilayer dielectrics MOSCAPs on (100) β-Ga2O3

文献类型:期刊论文

作者Xue HW(薛惠文); Dong H(董航); Mu WX(穆文祥); Hu Y(胡媛); He QM(何启鸣); Fu B(付博); Tan Y(覃愿); Jian WZ(菅文忠); Zhang Y(张颖); Long SB(龙世兵)
刊名AIP Advances
出版日期2018-06-18
文献子类期刊论文
源URL[http://159.226.55.107/handle/172511/18972]  
专题微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
Xue HW,Dong H,Mu WX,et al. C-V and J-V investigation of HfO2/Al2O3 bilayer dielectrics MOSCAPs on (100) β-Ga2O3[J]. AIP Advances,2018.
APA Xue HW.,Dong H.,Mu WX.,Hu Y.,He QM.,...&Liu M.(2018).C-V and J-V investigation of HfO2/Al2O3 bilayer dielectrics MOSCAPs on (100) β-Ga2O3.AIP Advances.
MLA Xue HW,et al."C-V and J-V investigation of HfO2/Al2O3 bilayer dielectrics MOSCAPs on (100) β-Ga2O3".AIP Advances (2018).

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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