C-V and J-V investigation of HfO2/Al2O3 bilayer dielectrics MOSCAPs on (100) β-Ga2O3
文献类型:期刊论文
作者 | Xue HW(薛惠文); Dong H(董航); Mu WX(穆文祥); Hu Y(胡媛); He QM(何启鸣); Fu B(付博); Tan Y(覃愿); Jian WZ(菅文忠); Zhang Y(张颖); Long SB(龙世兵) |
刊名 | AIP Advances |
出版日期 | 2018-06-18 |
文献子类 | 期刊论文 |
源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18972] |
专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Xue HW,Dong H,Mu WX,et al. C-V and J-V investigation of HfO2/Al2O3 bilayer dielectrics MOSCAPs on (100) β-Ga2O3[J]. AIP Advances,2018. |
APA | Xue HW.,Dong H.,Mu WX.,Hu Y.,He QM.,...&Liu M.(2018).C-V and J-V investigation of HfO2/Al2O3 bilayer dielectrics MOSCAPs on (100) β-Ga2O3.AIP Advances. |
MLA | Xue HW,et al."C-V and J-V investigation of HfO2/Al2O3 bilayer dielectrics MOSCAPs on (100) β-Ga2O3".AIP Advances (2018). |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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