The impact of RTN signal on array level resistance fluctuation of resistive random access memory
文献类型：期刊论文
| 作者 | Xu XX(许晓欣) ; Chen CB(陈传兵); Liu J(刘璟); Dong DN(董大年); Yuan P(袁鹏); Gong TC(龚天成); Luo Q(罗庆); Yu ZA(余兆安); Lv HB(吕杭炳); Liu M(刘明)
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| 刊名 | Electron Device Letters
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| 出版日期 | 2018-04-02 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18973]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Xu XX,Chen CB,Liu J,et al. The impact of RTN signal on array level resistance fluctuation of resistive random access memory[J]. Electron Device Letters,2018. |
| APA | Xu XX.,Chen CB.,Liu J.,Dong DN.,Yuan P.,...&Liu M.(2018).The impact of RTN signal on array level resistance fluctuation of resistive random access memory.Electron Device Letters. |
| MLA | Xu XX,et al."The impact of RTN signal on array level resistance fluctuation of resistive random access memory".Electron Device Letters (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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