Origin of negative resistance in anion migration controlled resistive memory
文献类型：期刊论文
| 作者 | Writam Banerjee; Wu FC(伍法才); Hu Y(胡媛) ; Wu QT(吴全潭); Wu ZH(吴祖恒); Liu Q(刘琦); Liu M(刘明)
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| 刊名 | Appl. Phys. Lett.
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| 出版日期 | 2018-03-30 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18975]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Writam Banerjee,Wu FC,Hu Y,et al. Origin of negative resistance in anion migration controlled resistive memory[J]. Appl. Phys. Lett.,2018. |
| APA | Writam Banerjee.,Wu FC.,Hu Y.,Wu QT.,Wu ZH.,...&Liu M.(2018).Origin of negative resistance in anion migration controlled resistive memory.Appl. Phys. Lett.. |
| MLA | Writam Banerjee,et al."Origin of negative resistance in anion migration controlled resistive memory".Appl. Phys. Lett. (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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