40×Retention Improvement by Eliminating Resistance Relaxation with High Temperature Forming in 28 nm RRAM Chip
文献类型：会议论文
| 作者 | Xu XX(许晓欣) ; Tai L(台路); Gong TC(龚天成); Yin JH(殷嘉浩); Peng Huang; Yu J(余杰); Dong DN(董大年); Luo Q(罗庆); Liu J(刘璟); Yu ZA(余兆安)
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| 出版日期 | 2018-12-05 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/19127]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Xu XX,Tai L,Gong TC,et al. 40×Retention Improvement by Eliminating Resistance Relaxation with High Temperature Forming in 28 nm RRAM Chip[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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