A CMOS Compatible, Forming Free TaON-based ReRAM with Low Soft Errors and Good Retention
文献类型：会议论文
| 作者 | Tai L(台路); Xu XX(许晓欣) ; Yuan P(袁鹏); Yu J(余杰); Luo Q(罗庆); Lv HB(吕杭炳); Liu M(刘明)
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| 出版日期 | 2018-11-21 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/19128]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Tai L,Xu XX,Yuan P,et al. A CMOS Compatible, Forming Free TaON-based ReRAM with Low Soft Errors and Good Retention[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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