共基极与共发射极结构的InP DHBT器件功率特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王显泰 ; 金智; 程伟; 申华军; 苏永波
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| 刊名 | 半导体技术
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| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 34期号:8页码:4，759-762 |
| 关键词 | 功率放大器磷化铟 双异质结双极型晶体管 负载牵引 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 其他题名 | Power Performance of Common-Base and Common-Emitter InP DHBTs |
| 英文摘要 | 制作了发射极面积为1μm×15μm×4指的InP DHBT器件,器件拓扑使用了共基极和共发射极两种结构,通过负载牵引测试系统对器件功率特性进行测试。在功率优化匹配条件下,所测得最大输出功率密度和相应的功率附加效率（PAE）在10GHz下为1.24W/mm和50%,在18GHz下的数据为0.82W/mm和26%。测试同时表明,共发射极结构相对稳定和易于匹配,共基极模式具有更大的输出功率潜力,但需要进一步解决难于匹配、容易振荡和寄生参量影响等问题。在功放电路设计中,可以根据不同需求选择合适的电路拓扑结构。[著者文摘] |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-06-01 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/2196]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王显泰,金智,程伟,等. 共基极与共发射极结构的InP DHBT器件功率特性[J]. 半导体技术,2009,34(8):4，759-762. |
| APA | 王显泰,金智,程伟,申华军,&苏永波.(2009).共基极与共发射极结构的InP DHBT器件功率特性.半导体技术,34(8),4，759-762. |
| MLA | 王显泰,et al."共基极与共发射极结构的InP DHBT器件功率特性".半导体技术 34.8(2009):4，759-762. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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