一种高增益低噪声低功耗跨阻放大器设计与实现
文献类型:期刊论文
作者 | 张海英; 唐立田; 尹军舰; 李潇; 黄清华 |
刊名 | 电子器件
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出版日期 | 2009 |
卷号 | 32期号:3页码:4,566-569 |
关键词 | 跨阻放大器 Rgc结构 等效输入噪声电流谱密度 0.18μm Cmos工艺 |
ISSN号 | 1005-9491 |
其他题名 | Design and Implementation of a High Gain Low Noise and Low Power Trans-Impedance Amplifier |
英文摘要 | 采用TSMC0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种高增益、低噪声和低功耗跨阻放大器。针对某种实用的光电二极管,在寄生电容高达3pF的情况下,采用RGC输入、无反馈电阻的电路结构,合理实现了增益、带宽、噪声、动态范围以及低电源电压等指标间的折中。测试结果表明单端跨阻增益高达78dB·Ω,-3dB带宽超过300MHz,100MHz处的等效输入噪声电流谱密度低至6.3pA/√Hz,功耗仅为14.4mW。芯片面积(包括所有PAD)为500μm×460μm。[著者文摘] |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-06-01 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/2198] ![]() |
专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张海英,唐立田,尹军舰,等. 一种高增益低噪声低功耗跨阻放大器设计与实现[J]. 电子器件,2009,32(3):4,566-569. |
APA | 张海英,唐立田,尹军舰,李潇,&黄清华.(2009).一种高增益低噪声低功耗跨阻放大器设计与实现.电子器件,32(3),4,566-569. |
MLA | 张海英,et al."一种高增益低噪声低功耗跨阻放大器设计与实现".电子器件 32.3(2009):4,566-569. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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