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一种高增益低噪声低功耗跨阻放大器设计与实现

文献类型:期刊论文

作者张海英; 唐立田; 尹军舰; 李潇; 黄清华
刊名电子器件
出版日期2009
卷号32期号:3页码:4,566-569
关键词跨阻放大器 Rgc结构 等效输入噪声电流谱密度 0.18μm Cmos工艺
ISSN号1005-9491
其他题名Design and Implementation of a High Gain Low Noise and Low Power Trans-Impedance Amplifier
英文摘要采用TSMC0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种高增益、低噪声和低功耗跨阻放大器。针对某种实用的光电二极管,在寄生电容高达3pF的情况下,采用RGC输入、无反馈电阻的电路结构,合理实现了增益、带宽、噪声、动态范围以及低电源电压等指标间的折中。测试结果表明单端跨阻增益高达78dB·Ω,-3dB带宽超过300MHz,100MHz处的等效输入噪声电流谱密度低至6.3pA/√Hz,功耗仅为14.4mW。芯片面积(包括所有PAD)为500μm×460μm。[著者文摘]
语种中文
公开日期2010-06-01
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/2198]  
专题微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
张海英,唐立田,尹军舰,等. 一种高增益低噪声低功耗跨阻放大器设计与实现[J]. 电子器件,2009,32(3):4,566-569.
APA 张海英,唐立田,尹军舰,李潇,&黄清华.(2009).一种高增益低噪声低功耗跨阻放大器设计与实现.电子器件,32(3),4,566-569.
MLA 张海英,et al."一种高增益低噪声低功耗跨阻放大器设计与实现".电子器件 32.3(2009):4,566-569.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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