一个8GHz基于AlGaN/GaN HEMT的内匹配电路
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘果果 ; 刘新宇; 王亮; 陈中子; 袁婷婷; 曾轩; 陈晓娟; 张辉
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| 刊名 | 电子器件
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| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 32期号:1页码:4，24-27 |
| 关键词 | Algan/ganhemt |
| ISSN号 | 1005-9490 |
| 英文摘要 | 论述了一个在8 GHz下基于AlGaN/GaN HEMT功率放大器HMIC的设计、制备与测试。该电路包含了1个10×100μm的AlGaN/GaN HEMT和输入输出匹配电路。在偏置条件为VDS=40 V、IDS=0.16 A时输出连续波饱和功率在8GHz达到36.5 dBm（4.5 W）,PAE为60%,线性增益10 dB;在偏置条件为VDS=30 V、IDS=0.19 A时输出连续波饱和功率在8 GHz达到35.6 dBm（3.6 W）,PAE为47%,线性增益9 dB。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-06-01 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/2204]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘果果,刘新宇,王亮,等. 一个8GHz基于AlGaN/GaN HEMT的内匹配电路[J]. 电子器件,2009,32(1):4，24-27. |
| APA | 刘果果.,刘新宇.,王亮.,陈中子.,袁婷婷.,...&张辉.(2009).一个8GHz基于AlGaN/GaN HEMT的内匹配电路.电子器件,32(1),4，24-27. |
| MLA | 刘果果,et al."一个8GHz基于AlGaN/GaN HEMT的内匹配电路".电子器件 32.1(2009):4，24-27. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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