具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 白云 ; 麻芃; 刘键; 朱杰; 饶志鹏; 刘新宇
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| 发表日期 | 2012-12-05 |
| 专利号 | CN200910306624.5 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法，属于半导体器件 技术领域。所述探测器包括蓝宝石衬底，以及在所述蓝宝石衬底上依次排列生长的AlN缓冲 层、n型Al0.65Ga0.35N层、i型Al0.45Ga0.55N层、p型Al0.45Ga0.55N层和n型Al0.45Ga0.55N层，在所述 n型Al0.45Ga0.55N层上设置有第一上电极，在所述n型Al0.65Ga0.35N层上设置有第二上电极。本 发明具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器能够对微弱的光电流信号进行放大，从而实现信 号增益，提高器件的响应率。 |
| 公开日期 | 2010-02-03 |
| 申请日期 | 2009-09-07 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8462]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 白云,麻芃,刘键,等. 具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法. CN200910306624.5. 2012-12-05. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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