中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
Effect of radio frequency power on the inductively coupled plasma etched Al0.65Ga0.35N surface

文献类型:外文期刊

作者Liu, XY; Bai, Y; Liu, J; Ma, P; Li, B; Zhu, J; Guo, LW
发表日期2010
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/8950]  
专题微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
Liu, XY,Bai, Y,Liu, J,et al. Effect of radio frequency power on the inductively coupled plasma etched Al0.65Ga0.35N surface. 2010.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。