Extrinsic Base Surface Passivation in High Speed "Type-II" GaAsSb/InP DHBTs Using an InGaAsP Ledge Structure
文献类型：外文期刊
| 作者 | Jin, Z; Liu, XY; Wu, Dx; Zhou, L; Chang, HD; Wang, XT; Su, YB; Liu, HG |
| 发表日期 | 2010 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8952]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Jin, Z,Liu, XY,Wu, Dx,et al. Extrinsic Base Surface Passivation in High Speed "Type-II" GaAsSb/InP DHBTs Using an InGaAsP Ledge Structure. 2010. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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