用于X波段的14.2W/mm内匹配AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
文献类型：期刊论文
| 作者 | 彭铭曾 |
| 刊名 | Solid-State Electronics
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| 出版日期 | 2011-10-01 |
| 公开日期 | 2012-11-15 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/9341]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 通讯作者 | 彭铭曾 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 彭铭曾. 用于X波段的14.2W/mm内匹配AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管[J]. Solid-State Electronics,2011. |
| APA | 彭铭曾.(2011).用于X波段的14.2W/mm内匹配AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管.Solid-State Electronics. |
| MLA | 彭铭曾."用于X波段的14.2W/mm内匹配AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管".Solid-State Electronics (2011). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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